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導電薄膜的電阻檢測新技術-渦流法電阻測量儀

發(fā)布時間:2021-06-11 點擊量:1072

導電薄膜的電阻檢測新技術-渦流法電阻測量儀

針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現的問題,進行分析研究,提出了解決方案,并在實驗中得到實現.研究的問題包括:電池供電的電壓監(jiān)測;探頭*與被測樣品接觸良好的檢測;防止探針對被測樣品造成電擊穿;測量時自動進行量程轉換等。

 

 

日本napson渦流式電阻檢測儀EC-80P

產品特點

  • 只需觸摸手持式探頭即可進行電阻測量。
  • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設置測量條件
  • 連接到連接器的電阻測量探針是可更換的,因此它支持廣泛的電阻。
  • (電阻探頭:z多可以使用2 + PN判斷探頭)
  • 測量規(guī)格

    測量目標

    相關(硅,多晶硅,碳化硅等)半導體/太陽能電池材料
    的新材料/相關功能性材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
    導電薄膜相關的(金屬,ITO等)
    硅基外延離子注入的樣品
    化合物與半導體有關的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
    其他(*請與我們聯xi)

    測量尺寸

    無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

    測量范圍

    [電阻率] 1 m至200Ω·cm
    (*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um)
    [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
    (*所有探頭類型的總范圍)

    *有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
    (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
    0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
    (3 )高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-??cm)
    (4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
    (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-cm)

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